规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
120A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
2.1 mOhm @ 100A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4V @ 200µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
270nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
21900pF @ 25V |
功率 - 最大 |
250W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
PG-TO263-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3TO-263 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
120 A |
RDS -于 |
2.1@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
30 ns |
典型上升时间 |
5 ns |
典型关闭延迟时间 |
60 ns |
典型下降时间 |
15 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Rail / Tube |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
封装 |
Reel |
工厂包装数量 |
1000 |
零件号别名 |
IPB120N06S4H1ATMA1 IPB120N06S4H1ATMA2 SP000396274 |
P( TOT ) |
250W |
匹配代码 |
IPB120N06S4-H1 |
R( THJC ) |
0.6K/W |
LogicLevel |
NO |
单位包 |
1000 |
标准的提前期 |
17 weeks |
最小起订量 |
1000 |
Q(克) |
208nC |
无铅Defin |
RoHS-conform |
汽车 |
AEC-Q(100) |
我(D ) |
120A |
V( DS ) |
60V |
的RDS(on ) at10V |
0.0021Ohm |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
120A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4V @ 200µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
供应商设备封装 |
PG-TO263-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
2.1 mOhm @ 100A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
250W |
封装/外壳 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
21900pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
270nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
源极击穿电压 |
20 V |
连续漏极电流 |
120 A |
系列 |
IPB120N06 |
安装风格 |
Through Hole |
RDS(ON) |
2.4 mOhms |
功率耗散 |
250 W |
下降时间 |
15 ns |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
5 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
60 V |
栅极电荷Qg |
270 nC |